Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC849CE6327
BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BC849
BC849CE6327 Hakkında
BC849CE6327, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi genel amaçlı bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount TO-236-3/SOT-23-3 paketinde sunulan bu komponent, 100 mA'e kadar kolektör akımı ve 420 minimum DC akım kazancı (hFE) ile orta güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 250 MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 30 V kolektör-emiter gerilimi ve 330 mW maksimum güç tüketimiyle, düşük sinyal amplifikasyonu, anahtarlama devreleri, ses frekansı uygulamaları ve genel amaçlı dijital-analog uygulamalarda tercih edilir. -150°C'ye kadar çalışabilir ve 600 mV saturasyon gerilimi sayesinde verimli anahtarlama sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 330 mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok