Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC849BE6327HTSA1
TRANS NPN 30V 100MA SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BC849
BC849BE6327HTSA1 Hakkında
BC849BE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23-3 (TO-236-3) yüksek entegrasyonlu paketinde sunulan bu komponent, 30V maksimum kolektor-emitter gerilimi ve 100mA maksimum kolektor akımı ile çalışır. 250MHz transition frekansı, 200 minimum DC akım kazancı (hFE @ 2mA, 5V) ve 330mW maksimum güç yayılımına sahiptir. Uydu satürasyon gerilimi 600mV @ 5mA, 100mA şartlarında ölçülmüştür. Düşük güç tüketimli anahtarlama uygulamaları, sinyal amplifikasyonu, ses frekansı devreler ve genel amaçlı güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. Surface mount montaj tipi ile PCB'ye doğrudan monte edilebilir. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında stabilite sağlar. Ürün yeni tasarımlara önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 330 mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok