Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC849B,215
TRANS NPN 30V 100MA TO236AB
BC849B,215 Hakkında
BC849B,215, Nexperia tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-236-3 (SOT-23-3, SC-59) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, düşük güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 30V maksimum collector-emitter gerilimi ve 100mA maksimum collector akımı ile sinyal amplifikasyon, anahtarlama ve kontrol devrelerinde kullanılır. 100MHz transition frequency ile RF ve yüksek hız uygulamalarında uygulanabilir. 250mW maksimum güç kapasitesi ve 200 (minimum) DC current gain (hFE) ile genel amaçlı elektronik tasarımlarda tercih edilir. Ses amplifikatörleri, lojik seviyeleri çevirici devreler, sinyal switch uygulamaları ve kompakt tasarım gerektiren endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 mW |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok