Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC848CE6327HTSA1
TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BC848
BC848CE6327HTSA1 Hakkında
BC848CE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN bipolar junction transistor (BJT) olarak tasarlanmış bir elektronik komponenttir. SOT-23 (TO-236-3) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 30V collector-emitter gerilimi ve 100mA collector akımı ile çalışabilir. 250MHz transition frequency'si ile orta hızlı switching uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 420 minimum DC current gain (hFE) değeri ile sağlam bir amplifikasyon sağlar. Maksimum 330mW güç tüketimi ve 150°C maksimum junction sıcaklığı ile çeşitli uygulamalarda yer alabilir. Küçük sinyal amplifikasyon, düşük güçlü switching devreleri ve genel amaçlı elektronik tasarımlarda yaygın olarak kullanılır. Paket maliyeti düşük ve montajı kolaydır. Not: Bu ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 330 mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok