Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler
BC847QASZ
TRANS 2NPN 45V 0.1A DFN1010B-6
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 6-XFDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- BC847
BC847QASZ Hakkında
BC847QASZ, Nexperia tarafından üretilen dual NPN bipolar junction transistör (BJT) dizisidir. 6-pin DFN1010B-6 paketinde sunulan bu bileşen, 45V maksimum Vce derecelendirmesi ve 100mA maksimum kolektör akımı ile çalışır. 200 minimum hFE (DC akım kazancı) ve 100MHz transition frequency özellikleri ile sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 350mW maksimum güç tüketimi ile düşük güç gereksinimi olan devrelerde tercih edilir. Vce saturation voltajı 300mV (5mA taban akımında, 100mA kolektör akımında) olup, ses amplifikatörleri, RF uygulamaları, mantık devreleri ve genel amaçlı amplifikasyon devrelerinde yaygın olarak uygulanmaktadır. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 350mW |
| Supplier Device Package | DFN1010B-6 |
| Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok