Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC847CQC-QZ
BC847CQC-Q/SOT8009/DFN1412D-3
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- BC847
BC847CQC-QZ Hakkında
BC847CQC-QZ, Nexperia tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). 3-XDFN DFN1412D-3 paketinde sunulan bu komponent, yüksek frekanslı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılmaktadır. Maksimum 100mA collector akımı, 100MHz transition frequency ve 45V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında çalışabilir. 2mA/5V koşulunda 420 minimum DC current gain sağlayan transistör, 360mW maksimum güç tüketimi ile entegre devrelerin sürücü aşamalarında, sinyal işlemede ve anahtarlama devrelerinde tercih edilir. SMD paketlemesi sayesinde yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun olup, -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına dayanıklıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 360 mW |
| Supplier Device Package | DFN1412D-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok