Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC847CQBZ
BIPOLAR DISCRETES
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- BC847
BC847CQBZ Hakkında
BC847CQBZ, Nexperia tarafından üretilen tekil NPN bipolar transistördür. Surface mount DFN1110D-3 paketinde sunulan bu bileşen, düşük sinyal amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 100 mA maksimum kolektör akımı, 45 V kırılma gerilimi ve 100 MHz geçiş frekansı ile orta hız uygulamalarına uygundur. 150°C'ye kadar çalışabilen ve 340 mW güç dissipe edebilen bu transistör, endüstriyel kontrol, tüketici elektroniği ve iletişim cihazlarında yaygın olarak tercih edilir. Minimum 420 hFE kazancı ile kararlı amplifikasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 340 mW |
| Supplier Device Package | DFN1110D-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok