Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC847CMB,315
NOW NEXPERIA BC847CMB - SMALL SI
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Seri / Aile Numarası
- BC847
BC847CMB,315 Hakkında
BC847CMB, Nexperia tarafından üretilen NPN tip silikon BJT transistördür. Surface mount DFN1006B-3 paketinde sunulan bu bileşen, düşük güç tüketimi gerektiren uygulamalarda kullanılır. 100 mA collector akımı kapasitesi ve 100 MHz transition frequency ile sinyal amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarına uygundur. 420 minimum DC current gain (hFE) değeri ile stabil çalışma sağlar. 250 mW maksimum güç yönetimi kapasitesi, 45V collector-emitter breakdown voltajı ve -55°C ile +150°C geniş işletme sıcaklığı aralığı ile çeşitli endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında tercih edilir. Düşük saturation voltajı (200mV) ile enerji verimliliği artar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 mW |
| Supplier Device Package | DFN1006B-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok