Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC847C/DG/B3,215
TRANS GEN PURPOSE TO-236AB
BC847C/DG/B3,215 Hakkında
BC847C/DG/B3,215, Nexperia tarafından üretilen genel amaçlı NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-236-3 (SOT-23-3) surface mount paketinde sunulan bu transistör, düşük sinyal uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri yerine getirir. 100 mA maksimum kolektör akımı, 45 V maksimum kolektor-emitör breakdown voltajı ve 100 MHz geçiş frekansı ile orta frekanslı devrelerde kullanım için uygundur. 420 minimum DC akım kazancı (hFE) ve düşük doyma voltajı (400 mV) ile verimli çalışma sağlar. Gürültü değeri düşük olan bu bileşen, ses amplifikatörleri, RF alıcıları, darbe devrelerinde ve genel logic kontrol uygulamalarında tercih edilir. 250 mW maksimum güç kapasitesi ile sınırlı uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250 mW |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok