Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler
BC847BVN-7
TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT563
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- BC847
BC847BVN-7 Hakkında
BC847BVN-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual NPN/PNP BJT transistör dizisidir. SOT-563 (SOT-666) paketinde sunulan bu komponent, 45V maximum collector-emitter breakdown voltajı ve 100mA maksimum collector akımı ile çalışır. 300MHz (NPN) ve 200MHz (PNP) transition frequency değerlerine sahip olması, orta frekans uygulamalarında kullanılmasını uygun kılmaktadır. 150mW maksimum güç tüketimi ile düşük güç gereksinimi olan tasarımlara uygundur. DC current gain değerleri NPN ve PNP türleri için 200-220 aralığında belirlenmiştir (2mA, 5V'de). -65°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, sinyal amplifikasyonu, anahtarlama ve genel amaçlı analog/dijital uygulamalarda tercih edilir. Surface mount teknolojisi ile üretilmesi, kompakt ve yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarında yer kazanmaya olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V / 220 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 300MHz, 200MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150mW |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Transistor Type | NPN, PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA, 650mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok