Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC847BQCZ
BC847BQC/SOT8009/DFN1412D-3
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- BC847
BC847BQCZ Hakkında
BC847BQCZ, Nexperia tarafından üretilen düşük güçlü NPN bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount DFN1412D-3 (3-XDFN) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 100mA collector akımı ve 200 minimum DC current gain (hFE) değerine sahiptir. 45V breakdown voltajı ve 150°C işletme sıcaklığı ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 100MHz transition frequency özelliği sayesinde orta frekanslı devrelerde tercih edilir. Maksimum 360mW güç tüketimi ile sinyal işleme, ses amplifikasyon ve kontrol devreleri gibi uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 360 mW |
| Supplier Device Package | DFN1412D-3 |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok