Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC847BQC-QZ
BC847BQC-Q/SOT8009/DFN1412D-3
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- BC847BQC
BC847BQC-QZ Hakkında
BC847BQC-QZ, Nexperia tarafından üretilen NPN tipinde bipolar junction transistördür (BJT). 3-terminal yapısı ile sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 100mA kollektör akımı ve 45V collector-emitter breakdown voltajı ile düşük-orta güç uygulamalarına uygundur. 100MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama ve yüksek frekanslı devre tasarımlarında tercih edilir. Minimum 200 hFE DC akım kazancı sağlar. 360mW maksimum güç yayılımı ve 150°C çalışma sıcaklığı ile kompakt elektronik cihazlara entegre edilebilir. Surface mount DFN1412D-3 paket tipi ile otomatik montaj proseslerine uyumludur. Tüketici elektroniği, ses amplifikatörleri, aydınlatma kontrol devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 360 mW |
| Supplier Device Package | DFN1412D-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok