Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC847BQAZ
NOW NEXPERIA BC847BQA - SMALL SI
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- BC847
BC847BQAZ Hakkında
BC847BQAZ, Nexperia tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, düşük güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 100mA maksimum kolektör akımı, 45V VCE breakdown voltajı ve 100MHz transition frekansı ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılır. 3-XDFN SMD paketinde sunulan bu bileşen, gürültü figürü düşük analog uygulamalar, ses frekansı amplifikatörleri, RF ön aşamaları ve dijital mantık arayüzleme gibi uygulamalarda tercih edilir. 280mW maksimum güç dağılımı ile sınırlı güç bütçeli tasarımlara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 280 mW |
| Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok