Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC847BFZ-7B
TRANS NPN 45V 0.1A X2-DFN060
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Seri / Aile Numarası
- BC847BFZ
BC847BFZ-7B Hakkında
BC847BFZ-7B, Diodes Incorporated tarafından üretilen düşük güçlü NPN bipolar jonksiyon transistörüdür. 45V VCEO breakdown voltajı ve 100mA maksimum kolektör akımı ile çalışan bu transistör, 435mW güç tüketimine sahiptir. Yüksek 100MHz geçiş frekansı sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında güvenilir çalışma sunar. 3-XFDFN (X2-DFN0606) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, ses amplifikatörleri, uydu osilatörleri, fotodetektör uygulamaları ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılır. 200 (minimum) hFE değeri ile orta düzey akım yükselimesi sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 435 mW |
| Supplier Device Package | X2-DFN0606-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok