Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC847BFAQ-7B
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR X2-DF
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Seri / Aile Numarası
- BC847B
BC847BFAQ-7B Hakkında
BC847BFAQ-7B, Diodes Incorporated tarafından üretilen genel amaçlı NPN bipolar junction transistördür. 3-XFDFN surface mount pakajında sunulan bu transistör, düşük sinyal amplifikasyon uygulamalarında ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. 100mA maksimum kollektör akımı, 45V collector-emitter gerilim daya kapasitesi ve 100MHz transition frequency ile sinyal işleme, ses amplifikasyonu, lojik devreler ve microcontroller arayüzü uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında 435mW güç tüketimi desteğiyle endüstriyel ve geniş sıcaklık aralığında çalışan sistemlerde kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 435 mW |
| Supplier Device Package | X2-DFN0806-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok