Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC847BE6327HTSA1
TRANS NPN 45V 100MA SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BC847
BC847BE6327HTSA1 Hakkında
BC847BE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23-3 (TO-236-3) yüzey montajlı paket içerisinde sunulan bu bileşen, 45V maksimum collector-emitter gerilimi ve 100mA maksimum collector akımıyla çalışabilir. 250MHz transition frequency ile orta hızlı uygulamalara uygundur. 330mW maksimum güç tüketimine sahip olup, 150°C'ye kadar çalışabilir. DC akım kazancı (hFE) 2mA ve 5V'ta minimum 200'dür. Saturation voltajı 100mA akımda 600mV'tur. Bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında, özellikle sinyal işleme, ses amplifikasyonu ve dijital devre kontrolü gibi alanlarda kullanılır. Yüksek entegrasyonlu tasarımlar için kompakt ve ekonomik bir çözüm sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 330 mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok