Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC847B-E6327
BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BC847B
BC847B-E6327 Hakkında
BC847B-E6327, Rochester Electronics tarafından üretilen genel amaçlı NPN bipolar junction transistördür. Surface mount TO-236-3 (SOT-23-3) paketinde sunulan bu bileşen, 100mA kollektor akımı ve 250MHz transition frequency ile düşük sinyalli anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 45V collector-emitter breakdown voltajı ve 330mW maksimum güç tüketimi ile, DC current gain değeri 2mA, 5V koşullarında 200'dür. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, ses amplifikatörleri, osilatörler, darbe şekillendirme devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 330 mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok