Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BC847AQBZ

BIPOLAR DISCRETES

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
3-XDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
BC847

BC847AQBZ Hakkında

BC847AQBZ, Nexperia tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount teknolojisi ile 3-XDFN paketinde sunulan bu ayrık transistör, düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri için tasarlanmıştır. 100mA maksimum kollektör akımı, 45V dağılım gerilimi ve 100MHz geçiş frekansı ile orta hızlı lojik devreleri, ses frekansı amplifikatörleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 150°C'ye kadar işletilabilen bileşen, 340mW maksimum gücü ile mobil elektronik, tüketici ürünleri ve endüstriyel kontrol devrelerinde tercih edilen bir çözümdür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 3-XDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power - Max 340 mW
Supplier Device Package DFN1110D-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok