Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BC847AQAZ

TRANS NPN 45V 0.1A SOT1215

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
3-XDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
BC847

BC847AQAZ Hakkında

BC847AQAZ, Nexperia tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). 45V maksimum Vce breakdown voltajı ve 100mA maksimum collector akımı ile düşük sinyal amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 110 minimum DC current gain (hFE) ve 100MHz transition frequency ile genel amaçlı sinyal işleme, inverter devreler, anahtarlama ve küçük sinyal amplifikasyonunda tercih edilir. 280mW maksimum güç tüketimi ile elektronik cihazlarda kontrol sinyalleri, mikrodenetleyici çıkışlarının sürülmesi ve düşük seviyeli komutlama uygulamalarında yer alır. 3-XDFN Exposed Pad paket tipi ile kompakt PCB tasarımlarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 3-XDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power - Max 280 mW
Supplier Device Package DFN1010D-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok