Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BC847AMTF

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BC847A

BC847AMTF Hakkında

BC847AMTF, Rochester Electronics tarafından üretilen genel amaçlı NPN epitaxial silicon transistördür. SOT-23-3 yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, 100mA collector akımı ve 45V breakdown voltajı ile küçük sinyali anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 300MHz geçiş frekansı ve 110 minimum DC akım kazancı (2mA, 5V'da) ile düşük frekanslı devreler, ses amplifikatörleri ve lojik devre uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 310mW güç dağıtım kapasitesi ile 150°C'ye kadar çalışabilir. 600mV saturasyon voltajı (5mA taban akımı, 100mA collector akımında) sayesinde etkin anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition 300MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 310 mW
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok