Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BC847AMB,315

TRANS NPN 45V 100MA DFN1006B-3

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
3-XFDFN
Seri / Aile Numarası
BC847

BC847AMB,315 Hakkında

BC847AMB,315, Nexperia tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistördür (BJT). 45V maksimum Vce breakdown voltajı ve 100mA maksimum kolektör akımı ile tasarlanmıştır. DFN1006B-3 yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, 110'luk minimum DC current gain (hFE) ve 100MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. 250mW maksimum güç tüketimi ile düşük güçlü sinyal işleme, amplifikasyon ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. 150°C'ye kadar çalışabilmesi gömülü sistemlerde ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. Kompakt yüzey montajlı tasarımı sayesinde yoğun entegrasyonlu PCB tasarımlarında yer tasarrufu sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 3-XFDFN
Part Status Active
Power - Max 250 mW
Supplier Device Package DFN1006B-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok