Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC847AE6327
BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BC847
BC847AE6327 Hakkında
BC847AE6327, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi genel amaçlı bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount TO-236-3 (SOT-23-3) paketinde sunulan bu bileşen, düşük sinyal amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 100 mA kolektör akımı ve 330 mW maksimum güç yeteneği ile küçük güç elektronik devrelerinde tercih edilir. 250 MHz transition frekansı sayesinde radyo frekans ve yüksek hızlı anahtarlama devrelerinde de uygulanabilir. 110 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 45V kolektör-emiter kırılma voltajı ile çeşitli sinyali işleme ve kontrol devreleri tasarımında kullanılabilir. Saat ve zaman ölçme devrelerinden, ses amplifikatörlerine kadar geniş uygulama alanı bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 110 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 330 mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok