Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler

BC817RAZ

BC817RA/SOT1268/DFN1412-6

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
6-XFDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
BC817

BC817RAZ Hakkında

BC817RAZ, Nexperia tarafından üretilen dual NPN transistör dizisidir. Kompakt 6-XFDFN DFN1412-6 paketinde sunulan bu bileşen, 500mA collector akımı ve 45V collector-emitter breakdown voltajı ile çalışır. 160 minimum DC current gain (hFE) değerine sahip transistör, 100MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 350mW maksimum güç tüketimi ve 150°C işletme sıcaklığı ile endüstriyel ortamlara uyarlanmıştır. Düşük 100nA collector cutoff akımı ve 700mV maksimum saturation voltajı, verimli devre tasarımları için uygundur. Audio sürücüleri, anahtarlama devreler, dijital lojik arayüzleri ve sinyal amplifikasyonu gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 6-XFDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power - Max 350mW
Supplier Device Package DFN1412-6
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok