Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BC817K25E6433HTMA1

AF TRANSISTORS

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BC817

BC817K25E6433HTMA1 Hakkında

BC817K25E6433HTMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipinde bipolar junction transistör (BJT) olup, genel amaçlı anafor uygulamalarında kullanılır. Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu transistör, maksimum 500mA collector akımı ve 45V collector-emitter breakdown voltajı ile çalışabilir. 170MHz transition frequency'si ile, orta hızda anafor ve ses işleme devreleri başta olmak üzere, endüstriyel kontrol, güç yönetimi ve sinyal amplifikasyon uygulamalarında yaygın şekilde tercih edilir. 500mW maksimum güç dağılımı ve 160 minimum DC current gain (hFE), bu transistörü kompakt tasarımlar için uygun kılar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition 170MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 500 mW
Supplier Device Package PG-SOT23
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok