Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC817K16E6433HTMA1
TRANS NPN 45V 500MA SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BC817
BC817K16E6433HTMA1 Hakkında
BC817K16E6433HTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT23-3 (TO-236-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 45V collector-emitter gerilimi ve 500mA maksimum collector akımı ile çalışabilir. 170MHz geçiş frekansı ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 100mA ve 1V koşullarında minimum 100 DC akım kazancı (hFE) sunmaktadır. Maksimum 500mW güç tüketimi ve 150°C işletme sıcaklığı özelliklerine sahiptir. Küçük sinyal amplifikasyonu, genel amaçlı anahtarlama ve kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilmektedir. Saturasyon gerilimi maksimum 700mV olup, küçük gürültülü devrelerde sıvı kristal display sürücüleri, güç yönetimi ve sensör arayüzü uygulamalarında kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 170MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 500 mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok