Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC81725MTF
BC817 - NPN EPITAXIAL SILICON TR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BC817
BC81725MTF Hakkında
BC817 NPN epitaxial silicon transistör, yüksek hızlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamaları için tasarlanmıştır. 800mA maksimum kolektör akımı, 45V kırılma gerilimi ve 100MHz geçiş frekansı özellikleri sayesinde, ses frekansı ve radyo frekansı devrelerinde kullanılabilir. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük sinyal işleme, anahtarlama, ve amplifikasyon fonksiyonlarında tercih edilir. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında, 310mW güç kaybı ile çalışabilir. Profesyonel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yaygın olarak kullanılan bir transistördür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 310 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok