Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BC817-40QBZ

BC817-40QB/SOT8015/DFN1110D-3

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
3-XDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
BC817-40

BC817-40QBZ Hakkında

BC817-40QBZ, Nexperia tarafından üretilen yüksek hızlı NPN bipolar transistördür. 500mA kolektör akımı, 45V breakdown voltajı ve 100MHz transition frequency ile düşük sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 3-XDFN SMD paketinde sunulan bu transistör, 250 minimum DC current gain (hFE) ve 700mV doyum voltajı ile ses amplifikatörleri, sinyal kuvvetlendirme devreleri, aydınlatma kontrolü ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yer alır. 350mW güç tüketimi ve -40°C ile +150°C arası geniş çalışma sıcaklığı aralığı ile çeşitli uygulamalar için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 3-XDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power - Max 350 mW
Supplier Device Package DFN1110D-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok