Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC817-25QBZ
BC817-25QB/SOT8015/DFN1110D-3
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- BC817-25
BC817-25QBZ Hakkında
BC817-25QBZ, Nexperia tarafından üretilen düşük güç NPN bipolar jonksiyon transistörüdür. Maksimum 500mA kolektör akımı ve 45V VCEO breakdown voltajı ile genel amaçlı sinyal anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 100MHz transition frequency ve minimum 160 hFE kazancı ile hızlı işaretleme ve düşük sinyal amplifikasyonu gerektiren devreler için uygundur. 350mW maksimum güç dağılımı ve 150°C işletme sıcaklığı ile endüstriyel ortamda çalışabilir. Surface mount DFN1110D-3 paketinde sunulan bu transistör, otomotiv, tüketici elektroniği ve haberleşme sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 350 mW |
| Supplier Device Package | DFN1110D-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok