Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC807-40QCZ
BC807-40QC/SOT8009/DFN1412D-3
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- BC807-40
BC807-40QCZ Hakkında
BC807-40QCZ, Nexperia tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek entegrasyon gerektiren uygulamalar için tasarlanmıştır. 500mA maksimum collector akımı ve 45V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılabilir. 80MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun olan bu bileşen, 250 minimum DC current gain (hFE) değerine sahiptir. 3-XDFN DFN1412D-3 paketinde sunulan BC807-40QCZ, 380mW maksimum güç harcaması ile kompakt PCB tasarımlarında tercih edilir. Saat devreleri, ses amplifikatörleri ve genel sinyal anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 80MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 380 mW |
| Supplier Device Package | DFN1412D-3 |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok