Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC807-40QBZ
BC807-40QB/SOT8015/DFN1110D-3
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- BC807-40
BC807-40QBZ Hakkında
BC807-40QBZ, Nexperia tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount DFN1110D-3 (3-XDFN Exposed Pad) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 500mA kolektör akımı ve 45V collector-emitter breakdown voltajı ile çalışır. 250 (minimum) DC akım kazancı (hFE) ve 80MHz geçiş frekansı sayesinde düşük-orta hızlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Maksimum güç tüketimi 350mW, maksimum doyum voltajı 700mV'tur. ICBO (dış akım) 100nA ile kontrol edilmiştir. 150°C'ye kadar işletme sıcaklığında güvenilir çalışma sağlar. Ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleri, sinyal işleme ve genel amaçlı amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 80MHz |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 350 mW |
| Supplier Device Package | DFN1110D-3 |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok