Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC807-40QB-QZ
BC807-40QB-Q/SOT8015/DFN1110D-
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- BC807-40
BC807-40QB-QZ Hakkında
BC807-40QB-QZ, Nexperia tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür. 500mA maksimum kollektör akımı, 45V maksimum Vce(br) diyelectric dayanımı ve 350mW maksimum güç dissipasyonu kapasitesiyle tasarlanmıştır. 80MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarına uyumludur. DFN1110D-3 yüzey montajlı paket ile kompakt PCB tasarımlarında kullanılır. DC gain minimum 250 (100mA, 1V koşulunda), Vce saturation maksimum 700mV'dir. -55°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında güvenilir çalışma sağlar. Ses amfifikatörleri, anahtarlama devreleri, düşük sinyal RF uygulamaları ve güç kaynağı yönetimi gibi alanlarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 80MHz |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 350 mW |
| Supplier Device Package | DFN1110D-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok