Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC807-25QBZ
BC807-25QB/SOT8015/DFN1110D-3
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- BC807
BC807-25QBZ Hakkında
BC807-25QBZ, Nexperia tarafından üretilen düşük güçlü NPN bipolar transistördür. 3-XDFN DFN1110D-3 paketinde sunulan bu bileşen, 500mA maksimum kolektör akımı ve 45V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ile çalışır. 160 (minimum) DC akım kazancı (hFE) ve 80MHz geçiş frekansı özelliğine sahiptir. 350mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ile anahtarlama uygulamaları, sinyal amplifikasyonu ve düşük frekanslı radyo devreleri gibi alanlarda kullanılır. Operating temperature 150°C ile entegre edileceği sistemlerde güvenilir performans sağlar. Surface Mount montajı sayesinde otomatik üretim hatlarında işlem görebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 80MHz |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 350 mW |
| Supplier Device Package | DFN1110D-3 |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok