Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC807-25QB-QZ
BC807-25QB-Q/SOT8015/DFN1110D-
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- BC807
BC807-25QB-QZ Hakkında
BC807-25QB-QZ, Nexperia tarafından üretilen PNP türü bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount teknolojisi ile 3-XDFN DFN1110D paketinde sunulan bu transistör, maksimum 500mA kollektör akımı ve 45V VCE(Br) ile çalışır. 160'lık minimum DC current gain (hFE) ve 80MHz transition frequency özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ile gömülü sistemler, ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleri ve genel amaçlı düşük güçlü uygulamalarda tercih edilir. 350mW maksimum güç disipasyonu kapasitesi ile küçük sinyallerin kontrolü ve amplifikasyonunda uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 80MHz |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 350 mW |
| Supplier Device Package | DFN1110D-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok