Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC807-25LT3G
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BC807
BC807-25LT3G Hakkında
BC807-25LT3G, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP epitaxial silicon transistördür. Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 500mA kolektör akımı ve 45V VCE(br) dış kırılma gerilimi ile çalışabilir. 160 (minimum) DC akım kazancı ve 100MHz geçiş frekansı ile düşük frekanslı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C işletim sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. 300mW maksimum güç disipasyonu kapasitesi ile ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleri, motor kontrol ve genel amaçlı bipolar transistör uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 300 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok