Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC639G
TRANS NPN 80V 1A TO-92
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- BC639
BC639G Hakkında
BC639G, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 80V collector-emitter gerilimi ve 1A collector akımı ile çalışabilir. 625mW güç derecelendirmesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 200MHz transition frequency özelliğiyle sinyal anahtarlaması ve amplifikasyon devrelerinde yer bulur. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, düşük sıcaklık uygulamalarından yüksek sıcaklık endüstriyel devrelere kadar geniş bir sıcaklık aralığında kullanılabilir. Kolektör kesme akımı maksimum 100nA olup, doyum gerilimi 500mV'dir. Düşük frekans anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 2V |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 625 mW |
| Supplier Device Package | TO-92 (TO-226) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok