Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BC639,116

TRANS NPN 80V 1A TO-92

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
BC639

BC639,116 Hakkında

BC639,116, NXP Semiconductors tarafından üretilen bir NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 1A kolektör akımı ve 80V kırılma gerilimi ile orta güçlü anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 150mA ve 2V koşullarında minimum 63 hFE akım kazancı sunmaktadır. 180MHz geçiş frekansı ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun olup, maksimum 830mW güç tüketimi kapasitesine sahiptir. Gömme (through-hole) montaj tipi ile PCB tasarımlarına doğrudan entegre edilebilir. Ses amplifikasiyon devreleri, kontrol uygulamaları ve genel amaçlı dijital/analog devrelerde yaygın olarak tercih edilmiştir. Bileşen şu anda üretim dışı (obsolete) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition 180MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status Obsolete
Power - Max 830 mW
Supplier Device Package TO-92-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok