Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC639,112
TRANS NPN 80V 1A TO-92
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- BC639
BC639,112 Hakkında
BC639,112 NXP tarafından üretilen TO-92 paketli NPN tip bipolar junction transistördür. 80V collector-emitter breakdown voltajı ve 1A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılabilir. 830mW maksimum güç disipasyonu, 180MHz geçiş frekansı ve 63 minimum DC akım kazancı (hFE) özellikleriyle donatılmıştır. Ses amplifikasyonu, sinyal anahtarlaması ve genel amaçlı switching uygulamalarında yaygın olarak tercih edilen bir bileşendir. Through-hole montaj tipi ile entegre edilir. Maksimum çalışma sıcaklığı 150°C'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 63 @ 150mA, 2V |
| Frequency - Transition | 180MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 830 mW |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok