Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BC639_J35Z

TRANS NPN 80V 1A TO-92

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
BC639

BC639_J35Z Hakkında

BC639_J35Z, onsemi tarafından üretilen TO-92 paketli NPN bipolar junction transistördür. 80V collector-emitter breakdown voltajı ve 1A maximum collector akımı ile düşük sinyal amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 100MHz transition frequency ile audio ve RF frekans uygulamalarında çalışabilir. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışan bu bileşen, 1W güç dağıtım kapasitesine sahiptir. DC current gain (hFE) minimum 40 değeriyle 150mA collector akımında belirtilmiştir. Genel sinyal işleme, aydınlatma kontrolü ve küçük güç anahtarlama devrelerinde tercih edilen bir transistördür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status Obsolete
Power - Max 1 W
Supplier Device Package TO-92-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok