Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BC639_D81Z

TRANS NPN 80V 1A TO-92

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
BC639

BC639_D81Z Hakkında

BC639_D81Z, onsemi tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistör (BJT) olup genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 80V VCEO dırılma gerilimi ve 1A maksimum kolektör akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarına uygundur. TO-92 paketindeki bu transistör, 100MHz transition frequency özelliği sayesinde orta frekans işlemlerine de elverişlidir. ICBO cutoff akımının düşük (100nA) olması ve Vce saturation geriliminin 500mV olması, yükseltme (switch-on) uygulamalarında kullanımı avantajlı kılar. Endüstriyel kontrol devreleri, sinyal işleme ve genel transistör amplifikatör uygulamalarında tercih edilir. 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ve 1W güç haddiyeti, bu bileşeni çeşitli ortam şartlarında güvenilir kılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status Obsolete
Power - Max 1 W
Supplier Device Package TO-92-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok