Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC637RL1G
TRANS NPN 60V 1A TO-92
BC637RL1G Hakkında
BC637RL1G, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 paketinde sunulan bu bileşen, 60V kolektör-emitter breakdown voltajı ve 1A maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 625mW maksimum güç kapasitesi, 200MHz transition frekansı ve -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığı sayesinde endüstriyel ve tüketici elektronik cihazlarında anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde uygulanabilir. Düşük ICBO (100nA) cutoff akımı ve 40 (minimum) DC current gain özellikleri ile istikrarlı performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 2V |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 625 mW |
| Supplier Device Package | TO-92 (TO-226) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok