Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC637_L34Z
TRANS NPN 60V 1A TO-92
BC637_L34Z Hakkında
BC637_L34Z, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 kapsülünde sunulan bu transistör, 60V maksimum collector-emitter voltajında ve 1A maksimum collector akımında çalışma kapasitesine sahiptir. 100MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygun olup, maksimum 1W güç tüketim kapasitesiyle tasarlanmıştır. DC current gain (hFE) minimum 40 değerindedir. 500mV saturation voltajı ile düşük kayıplı anahtarlama özelliği gösterir. Düşük sinyalli anahtarlama, genel amaçlı amplifikasyon ve darbe uygulamalarında kullanılan uygun maliyetli bir seçenektir. Through-hole montaj tipiyle eski tasarımlar ve hobist elektronik projelerine uyumludur. Bileşen şu anda ürün yaşam döngüsünde sona ermiş (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 2V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok