Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC637_J35Z
TRANS NPN 60V 1A TO-92
BC637_J35Z Hakkında
BC637_J35Z, onsemi tarafından üretilen NPN tipinde bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-92 DIP paketinde sunulmaktadır. 60V maksimum Vce dağılım gerilimi ve 1A maksimum kollektör akımı ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 100MHz transition frequency ile orta hızlı komutasyon işlemleri gerçekleştirebilir. 1W maksimum güç disipasyonuna sahip olan bileşen, DC akım kazancı (hFE) 40 (minimum @ 150mA Ic, 2V Vce) ile belirlenmiştir. Vce saturasyon gerilimi 500mV'dir. Through-hole montaj tipinde olan BC637_J35Z, klasik elektron projelerinde, ses frekansı amplifikatörlerinde ve düşük güçlü anahtarlama devrelerinde sıklıkla tercih edilmektedir. Not: Bu parça obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 2V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok