Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BC637_D26Z

TRANS NPN 60V 1A TO-92

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
BC637

BC637_D26Z Hakkında

BC637_D26Z, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 paketinde sunulan bu transistör, maksimum 60V collector-emitter gerilimi ve 1A collector akımı ile çalışabilir. 100MHz transition frequency'si ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. DC current gain (hFE) minimum 40 değerinde (150mA, 2V koşullarında) belirtilmiştir. 500mV saturation voltajı ile güç tüketimi düşüktür. Maksimum 1W güç yayılabilir ve 150°C'ye kadar işletilir. Genel amaçlı anahtarlama devreleri, sinyal amplifikasyonu ve ses frekans uygulamalarında kullanılır. Through-hole montaj tipi ile geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status Obsolete
Power - Max 1 W
Supplier Device Package TO-92-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok