Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC637-10-AP
TRANS NPN TO-92
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- BC637
BC637-10-AP Hakkında
BC637-10-AP, Micro Commercial Components tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 through-hole paketinde sunulan bu transistör, küçük sinyal ve orta güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri için tasarlanmıştır. Maksimum 1A collector akımına, 60V collector-emitter breakdown voltajına ve 830mW güç dağıtımına sahiptir. DC akım kazancı (hFE) 63 minimum değeriyle (150mA, 2V'de) belirtilmiştir. 100MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Düşük saturation voltajı (500mV @ 50mA, 500mA) ile verimli anahtarlama devrelerinde kullanılabilir. -55°C ile +150°C arasında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 63 @ 150mA, 2V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 830 mW |
| Supplier Device Package | TO-92 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok