Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC635,116
TRANS NPN 45V 1A TO-92
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- BC635
BC635,116 Hakkında
BC635,116 NXP Semiconductors tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 paketinde sunulan bu transistör, maksimum 1A kollektör akımı ve 45V breakdown voltajı ile çalışmaktadır. 180MHz transition frequency'si ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. 830mW maksimum güç dissipasyonu kapasitesi ile ses amplifikatörleri, genel amaçlı anahtarlama devreleri ve RF uygulamalarında kullanılabilir. Minimum 63 hFE (DC current gain) değeri ile güvenilir işletme sağlar. Through-hole montaj tipi nedeniyle geleneksel PCB tasarımlarında uygulanabilir. Maksimum çalışma sıcaklığı 150°C'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 63 @ 150mA, 2V |
| Frequency - Transition | 180MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 830 mW |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok