Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC635,112
TRANS NPN 45V 1A TO-92
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- BC635
BC635,112 Hakkında
BC635, NXP Semiconductors tarafından üretilen genel amaçlı NPN bipolar junction transistörtür. TO-92 paketinde sunulan bu bileşen, 45V collector-emitter diyelectric dayanımı ve 1A maksimum collector akımı ile orta güçlü uygulamalarda kullanılmaktadır. 830mW maksimum güç tüketimine sahip olan transistör, 180MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde tercih edilir. 63 minimum DC akım kazancı (hFE) ile 150mA collector akımında uygun kazanç sağlar. Kolektör kesim akımı 100nA düzeyindedir ve 150°C maksimum işletme sıcaklığında çalışabilir. Gömülü (through-hole) montaj tipi ile PCB'lere direkt lehimlenir. Uydu haberleşme, tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol ve ses amplifikasyon devrelerinde kullanım alanı bulmuştur. Not: Bu parça obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 63 @ 150mA, 2V |
| Frequency - Transition | 180MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 830 mW |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok