Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BC635_D26Z

TRANS NPN 45V 1A TO-92

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
BC635

BC635_D26Z Hakkında

BC635_D26Z, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-92 paket türünde sunulmaktadır. Maksimum 45V collector-emitter gerilimi ve 1A collector akımı ile orta düzey güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 100MHz transition frequency özelliği ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 1W maksimum güç disipasyonu kapasitesine sahip olan bu bileşen, genel amaçlı sinyal amplifikasyonu, anahtarlama devreleri ve düşük frekanslı RF uygulamalarında tercih edilmektedir. 40'lık minimum DC current gain (hFE) değeri ile stabil amplifikasyon özellikleri sağlar. Maksimum 150°C işletme sıcaklığına dayanıklıdır. Yerleştirme türü through-hole olup, 3 bacaklı yapıdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status Obsolete
Power - Max 1 W
Supplier Device Package TO-92-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok