Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BC558B_J35Z

TRANS PNP 30V 0.1A TO-92

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
BC558B

BC558B_J35Z Hakkında

BC558B_J35Z, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, Through Hole montaj için TO-92-3 paketinde sunulmaktadır. 30V maksimum Vce (Collector-Emitter) gerilimi ve 100mA maksimum kolektör akımı ile çalışan bu transistör, 150MHz transition frequency'ye sahiptir. 500mW maksimum güç tüketimi ve 200 minimum DC Current Gain (hFE) değeri ile orta sınıf uygulamalarda kullanılabilir. Düşük seviye sinyal amplifikasyonu, anahtarlama uygulamaları ve genel amaçlı analog devrelerde tercih edilir. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir ve ICBO cutoff akımı maksimum 15nA ile düşüktür. onsemi tarafından artık üretilmemektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition 150MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status Obsolete
Power - Max 500 mW
Supplier Device Package TO-92-3
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok