Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC556B,112
TRANS PNP 65V 0.1A TO-92
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- BC556B
BC556B,112 Hakkında
BC556B, NXP Semiconductors tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-92 paketinde sunulmaktadır. 65V maksimum collector-emitter voltajı ve 100mA maksimum collector akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 500mW maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahip olan bu transistör, 220 minimum DC current gain (hFE) değeri ile stabil amplifikasyon sağlar. 100MHz geçiş frekansı ile orta hızlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarına elverişlidir. Genel amaçlı sinyal işleme, düşük güçlü sürücü devreleri, ses amplifikasiyon ve kontrol uygulamalarında tercih edilen bir komponenttir. Işık sensörü devreleri, opto-coupler uygulamaları ve röle kontrol devrelerinde de kullanılabilir. Işıl lehimleme (through-hole) montajı ile PCB'ye kolayca entegre edilir. Lütfen dikkat: Bu ürün obselete (üretim dışı) statüdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500 mW |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok