Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BC550B B1G

TRANSISTOR, NPN, 45V, 0.1A, 200A

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
BC550B

BC550B B1G Hakkında

BC550B, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). 45V maksimum collector-emitter gerilimi ve 100mA maksimum collector akımı ile karakterize edilen bu bileşen, 500mW güç taşıma kapasitesine sahiptir. DC akım kazancı (hFE) 2mA collector akımında ve 5V Vce'de minimum 200'dür.

TO-92 paketlemesinde sunulan BC550B, genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -65°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Düşük collector cutoff akımı (15nA) ile statik güç tüketimi minimal seviyede tutulur. Tüm elektronik uygulamalar, alarm devreleri, ses amplifikatörleri ve sayısal lojik arabirimleri gibi tasarımlarda kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status Active
Power - Max 500 mW
Supplier Device Package TO-92
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok